Основные
Объём	1 ТБ
Форм-фактор	M.2
Интерфейс	PCI Express 3.0 x4
Тип микросхем Flash	3D TLC NAND
Размеры устройств M.2	2280
Ресурс записи	730 TBW
Технические характеристики
DRAM-буфер
Аппаратное шифрование
Скорость последовательного чтения	2 460 Мбайт/с
Скорость последовательной записи	2 475 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения	400 000 IOps
Средняя скорость случайной записи	345 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись)	3.5 Вт
Время наработки на отказ (МТBF)	1 500 000 ч
Охлаждение
Подсветка
Совместимость с PS5