Основные
Объём	512 ГБ
Форм-фактор	M.2
Интерфейс	PCI Express 4.0 x4
Версия NVMe	1.4
Тип микросхем Flash	3D TLC NAND
Размеры устройств M.2	2280
Ресурс записи	300 TBW
Технические характеристики
DRAM-буфер
Аппаратное шифрование
Скорость последовательного чтения	7 100 Мбайт/с
Скорость последовательной записи	3 800 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения	960 000 IOps
Средняя скорость случайной записи	720 000 IOps
Время наработки на отказ (МТBF)	2 000 000 ч
Толщина	2.4 мм
Охлаждение
Подсветка
Совместимость с PS5