Общая информация
Дата выхода на рынок	2018 г.
Основные
Объём	2 ТБ
Форм-фактор	M.2
Интерфейс	PCI Express 3.0 x4
Тип микросхем Flash	3D QLC NAND
Контроллер	Silicon Motion SM2263
Размеры устройств M.2	2280
Ресурс записи	400 TBW
Технические характеристики
Аппаратное шифрование	AES 256bit
Скорость последовательного чтения	1 800 Мбайт/с
Скорость последовательной записи	1 800 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения	220 000 IOps
Средняя скорость случайной записи	220 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись)	0.1 Вт
Энергопотребление (ожидание)	0.04 Вт
Время наработки на отказ (МТBF)	1 600 000 ч
Охлаждение