Общая информация
Дата выхода на рынок	2021 г.
Основные
Объём	4 ТБ
Форм-фактор	2.5"
Интерфейс	SATA 3.0
Тип микросхем Flash	3D TLC NAND
Контроллер	Samsung MKX
Ресурс записи	2400 TBW
Технические характеристики
Кэш	DRAM-буфер
Объем DRAM-буфера	4096 МБ
Аппаратное шифрование	AES 256bit
Скорость последовательного чтения	560 МБайт/с
Скорость последовательной записи	530 МБайт/с
Средняя скорость случайного чтения	98 000 IOps
Средняя скорость случайной записи	88 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись)	5 Вт  (макс.)
Энергопотребление (ожидание)	0.035 Вт
Время наработки на отказ (МТBF)	1 500 000 ч
Толщина	6.8 мм
Охлаждение
Подсветка
Комплектация
Вариант поставки	розничная
Адаптер 3.5"