Общая информация
Дата выхода на рынок	2020 г.
Основные
Объём	1 ТБ
Форм-фактор	2.5"
Интерфейс	SATA 3.0
Тип микросхем Flash	3D QLC NAND
Контроллер	Samsung MKX
Ресурс записи	360 TBW
Технические характеристики
Кэш	DRAM-буфер
Объем DRAM-буфера	1024 МБ
Аппаратное шифрование	AES 256bit
Скорость последовательного чтения	560 МБайт/с
Скорость последовательной записи	530 МБайт/с
Средняя скорость случайного чтения	98 000 IOps
Средняя скорость случайной записи	88 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись)	2.2 Вт
Энергопотребление (ожидание)	0.003 Вт
Время наработки на отказ (МТBF)	1 500 000 ч
Толщина	6.8 мм
Охлаждение
Подсветка
Комплектация
Комплект поставки	отдельный накопитель в картонной коробке
Адаптер 3.5"