Общая информация
Дата выхода на рынок	2018 г.
Основные
Объём	1 ТБ
Форм-фактор	M.2
Интерфейс	PCI Express 3.0 x4  (NVMe 1.3)
Тип микросхем Flash	3D MLC NAND
Контроллер	Samsung Phoenix
Размеры устройств M.2	2280
Ресурс записи	1200 TBW
Технические характеристики
Кэш	DRAM-буфер
Объем DRAM-буфера	1024 МБ
Аппаратное шифрование	AES 256bit
Скорость последовательного чтения	3 500 Мбайт/с
Скорость последовательной записи	2 700 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения	500 000 IOps
Средняя скорость случайной записи	500 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись)	5.7 Вт  (запись, 5.2 Вт - чтение)
Энергопотребление (ожидание)	0.03 Вт
Время наработки на отказ (МТBF)	1 500 000 ч
Охлаждение
Подсветка
Комплектация
Вариант поставки	розничная
Адаптер 3.5"