Общая информация
Дата выхода на рынок	2018 г.
Основные
Объём	1 ТБ
Форм-фактор	M.2
Интерфейс	PCI Express 3.0 x4
Версия NVMe	1.3
Тип микросхем Flash	3D TLC NAND
Размеры устройств M.2	2280
Технические характеристики
DRAM-буфер
Объем DRAM-буфера	1024 МБ
Скорость последовательного чтения	3 400 Мбайт/с
Скорость последовательной записи	2 800 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения	500 000 IOps
Средняя скорость случайной записи	400 000 IOps
Охлаждение