Общая информация
Дата выхода на рынок	2019 г.
Основные
Объём	256 ГБ
Форм-фактор	M.2
Интерфейс	PCI Express 3.0 x4  (NVMe 1.3 )
Тип микросхем Flash	3D TLC NAND
Контроллер	Phison PS5012-E12
Размеры устройств M.2	2280
Ресурс записи	160 TBW
Технические характеристики
Скорость последовательного чтения	3 100 Мбайт/с
Скорость последовательной записи	1 050 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения	180 000 IOps
Средняя скорость случайной записи	260 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись)	3 Вт
Энергопотребление (ожидание)	0.016 Вт
Время наработки на отказ (МТBF)	1 800 000 ч
Толщина	2.23 мм
Охлаждение
Подсветка